研發六吋氧化鎵單晶塊材 中山大學助攻新興半導體技術

記者王正平／高雄報導

半導體新興材料推陳出新，其中氧化鎵應用領域廣泛，國立中山大學晶體研究中心與台灣應用晶體公司及其所屬集團簽訂「大尺寸氧化鎵晶體生長」專案合作契約書，企業挹注五千萬投入氧化鎵單晶塊材研究，目標三年內成功生產六吋氧化鎵單晶塊材，助攻臺灣次世代半導體材料領航優勢，前景可期。

近年來電動車、航太、通訊與能源應用受到全球矚目，市場對次世代化合物半導體材料的需求正高速起飛。中山大學材料與光電科學學系教授兼晶體研究中心主任周明奇指出，繼氮化鎵、碳化矽後，另一寬能隙半導體材料氧化鎵成為明日之星。

氧化鎵各項性能指標有著更顯著的優勢，包括能承受更高電壓與臨界電場，電力損耗為矽的三千四百分之一、碳化矽的十分之一，材料透明、可導電的獨特性能，應用層面也更廣泛，涵蓋電動車、電力系統、風力發電、通訊領域、光電元件與光感和氣體感測器領域等，相當具前瞻性。

周明奇強調，中山大學晶體研究中心甫獲得第二期教育部深耕研究中心支持，也是唯一能生長次世代半導體碳化矽的實驗室，去年已成功生長出直徑六吋的碳化矽晶體塊材，技術轉移台灣應用晶體公司及其所屬集團，讓其有信心與中山大學繼續合作；研究中心過去也曾生長出直徑四十mm的氧化鎵單晶塊材，未來三年將在關鍵技術上努力突破。

此外，周明奇表示，晶體中心成功生長出用於尖端醫療產品正子斷層顯影術（PET）所需的閃爍晶體，PET是目前醫界診斷癌症及神經疾病的重要診斷工具，過去技轉合作很多。目前晶體中心與技轉企業集團正與美國芝加哥大學、賓州大學及荷蘭飛利浦公司合作開發全身正子斷層顯影設備，有望大幅縮短正子與電腦斷層（PET/CT）檢查時間，減緩患者的幽閉恐懼症症狀。未來將與中山大學醫學院密切合作，希望在高階醫療影像設備及醫院的建立能有更多貢獻。