記者彭新茹／新竹報導
工研院攜手英商牛津儀器簽署研究計劃共同合作，鏈結雙方研發能量，成功建構台灣化合物半導體產業鏈發展，搶攻全球市場。
工研院副院長張培仁指出，英商牛津儀器十五年前就已跟工研院在精密檢測分析部分進行合作，工研院不但是牛津儀器在亞太區重要的據點，雙方也培養深厚的默契與基礎，並在矽光子學、奈米分析等領域獲得成果。此次簽署將有助於建構更完整的下世代半導體供應鏈，並將研發落實於系統整合及跨領域創新，進一步協助產業轉型升級，帶動台灣經濟與產業成長。
工研院電子與光電系統研究所所長吳志毅表示，合作將有效提升氮化鎵的高電子遷移率電晶體元件製程良率，增加電源充電功率與電晶體性能，建構台灣下世代化合物半導體產業布局，帶動台灣產業在供應鏈佔有一席之地。
英商牛津儀器首席執行長伊恩巴克希爾說，牛津儀器將提供先進的原子級沉積與蝕刻技術設備，搭配工研院在超高頻半導體關鍵零組件技術解決方案及製程開發平台的領先能量，期待雙方在強化前瞻技術研發能量下，進一步打入國際市場供應鏈。
化合物半導體「黑科技」氮化鎵，因其擁有高功率、高密度，可大幅縮小產品體積，於高頻、高溫與高電壓的環境下仍有極佳效能，在５Ｇ或６Ｇ、綠能與電動車市場驅動下，將大幅推升化合物半導體在消費性電子產品與相關產業鏈產值，成為下世代半導體產業新星。
