成大側向磊晶扭轉結構登國際期刊

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記者施春瑛∕台南報導

成功大學物理系副教授楊展其與前沿量子科技研究中心特聘教授陳宜君、陳則銘跨域研究提出並實證調控材料側向磊晶扭轉結構的方法,有助設計與調控量子材料的電子結構與晶體幾何排列,開啟調控磊晶薄膜製造的嶄新方向,研究成果發表登上國際期刊《Nature Communications》,其核心技術也已通過台灣專利核可,美國專利審核中。

成大跨域研究團隊十日晚間於國際期刊《Nature Communications》發表「Twisted oxide lateral homostructures with conjunction tunability」一文,分享側向扭曲同質磊晶結構的研究成果,其中期刊文章第一與共同第一作者分別為楊展其老師的博士後研究員吳秉駿與博士班學生魏嘉駿。

楊展其專長研究複雜氧化物與薄膜物理,致力新穎量子材料成長開發與半導體產業應用整合,琢磨精準調控單晶薄膜的新穎磊晶技術已有十多年。楊展其表示,近十年來,對於製作具有優異材料特性的高質量薄膜,磊晶技術扮演至關重要的角色。傳統磊晶概念主要建立在材料的垂直堆疊,多數研究者皆致力於開發與調製垂直磊晶結構的功能性質,橫向可扭轉同質磊晶結構的製造與物性操控尚未被實現在量子材料領域。