台版晶片法 3大申請門檻

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子法草案規範 研發費用60億元、研發密度6% 購置先進製程設備須達百億元

記者陳建興∕台北報導

有台版晶片法之稱的產創條例第十條之二,經過經濟部、財政部兩部會密切協商後,並考量國家關鍵產業發展及稅制穩定,子法草案在一日對外預告三十天;其中,草案規範,以研發費用達新台幣六十億元、研發密度達百分之六、購置用於先進製程設備支出達一百億元等條件做為申請門檻,盼能鼓勵公司深耕台灣,加碼投資。

「產業創新條例第十條之二及第七十二條條文修正案」俗稱「台版晶片法」,針對半導體、電動車、5G等技術創新且居國際供應鏈關鍵地位公司,提供前瞻創新研發支出的百分之二十五,抵減當年度應納營利事業所得稅額,並得以購置用於先進製程的全新機器或設備支出的百分之五,抵減當年度應納營所稅額,且該機器或設備支出不設定金額上限。

企業適用要件包含當年度研發費用、研發密度(研發費用占營收比率)達一定規模,且有效稅率達一定比率。

其中,為因應經濟合作暨發展組織國家最低稅負制調整,其中有效稅率門檻,民國一一二年訂為百分之十二,一一三年料將提高至百分之十五,但仍得審酌國際間最低稅負制實施情形。

財政部長莊翠雲指出,產創十之二主要是為強化台灣產業在國際的競爭力,讓在國際供應鏈居關鍵地位的台灣企業,能獲得租稅獎勵,財政部與經濟部近來也持續密切協商產創十之二子法規內容。

經濟部則表示,為廣納意見,歡迎各界先進於草案預告期間提供寶貴意見,經濟部將舉辦產業座談會,說明子法相關條文內容與意見交流,綜整各界意見後,將盡快與財政部會銜發布,以利公司明年可開始申請適用。